1. 根據產(chǎn)品使用環(huán)境確定試驗溫度。
2. 試件暴露于極值溫度的持續時(shí)間應為半導體芯片的實(shí)際工作時(shí)間或溫度穩定的時(shí)間。GJB 150中規定持續時(shí)間一般為1h，或者是溫度達到穩定的時(shí)間，當溫度穩定的時(shí)間超過(guò)1h，則使用溫度穩定時(shí)間。
3. 轉換時(shí)間與溫度變化速率，GJB 要求會(huì )比 GB 要求更為嚴苛。例如，GJB 150A 中要求轉換時(shí)間盡可能短，轉換時(shí)間要求不大于1min ,溫度變化速率小于3℃/min，如果因為試樣尺寸過(guò)大，導致時(shí)間超過(guò) 1min ，應說(shuō)明合理性。

半導體芯片冷熱沖擊方法

• 將試件芯片通電置于置物架上；

• 根據要求設定試驗溫度；

• 首先對試件進(jìn)行低溫試驗，再進(jìn)行高溫試驗，循環(huán)次數依要求進(jìn)行；

• 記錄半導體芯片工作狀態(tài)下，在設定溫度下的相關(guān)參數, 對產(chǎn)品分析, 工藝改進(jìn)以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實(shí)的數據依據。

冷熱沖擊方向選擇

試件從低溫或是高溫試驗開(kāi)始，不同標準有不同的解析。若試驗從低溫段開(kāi)始，試驗結束在高溫段；若試驗從高溫段開(kāi)始，結束在低溫段。為防止試件在試驗結束后表面產(chǎn)品凝露，試驗結束在低溫段時(shí)需要增加烘干恢復的過(guò)程，這樣就增加了試驗周期，建議試驗從低溫段開(kāi)始，結束在高溫段。