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電子產(chǎn)品的可靠性試驗分類(lèi)(一)

 更新時(shí)間:2023-12-21 點(diǎn)擊量:678

電子產(chǎn)品可靠性試驗分類(lèi)(一)


01. 環(huán)境試驗

部分可靠性試驗專(zhuān)注于把樣品置于自然或人工模擬的儲存、運輸和工作環(huán)境中的試驗統稱(chēng)為環(huán)境試驗,是考核產(chǎn)品在各種環(huán)境(振動(dòng)、沖擊、離心、溫度、熱沖擊、潮熱、鹽霧、低氣壓等)條件下的適應能力,是評價(jià)產(chǎn)品可靠性的重要試驗方法之一。一般主要有以下幾種:


(1)穩定性烘培,即高溫存儲試驗

試驗目的:考核在不施加電應力的情況下,高溫存儲對產(chǎn)品的影響。有嚴重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài),是一種不穩定態(tài),由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過(guò)渡過(guò)程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產(chǎn)品失效的過(guò)程,也是促使產(chǎn)品從非穩定態(tài)向穩定態(tài)的過(guò)渡過(guò)程。

這種過(guò)渡一般情況下是物理化學(xué)變化,其速率遵循阿倫尼烏斯公式,隨溫度成指數增加.高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時(shí)間.所以該實(shí)驗又可以視為一項穩定產(chǎn)品性能的工藝。

試驗條件:一般選定一恒定的溫度應力和保持時(shí)間。微電路溫度應力范圍為75℃至400℃,試驗時(shí)間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環(huán)境中,既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時(shí)間。多數的情況下,要求試驗后在規定的時(shí)間內完成終點(diǎn)測試。


(2)溫度循環(huán)試驗

試驗目的:考核產(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力及對極*溫和極*低溫環(huán)境的承受能力.是針對產(chǎn)品熱機械性能設置的。當構成產(chǎn)品各部件的材料熱匹配較差,或部件內應力較大時(shí),溫度循環(huán)試驗可引發(fā)產(chǎn)品由機械結構缺陷劣化產(chǎn)生的失效。如漏氣、內引線(xiàn)斷裂、芯片裂紋等。

試驗條件:在氣體環(huán)境下進(jìn)行。主要是控制產(chǎn)品處于高溫和低溫時(shí)的溫度和時(shí)間及高低溫狀態(tài)轉換的速率。試驗箱內氣體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗條件的重要因素。

其控制原則是試驗所要求的溫度、時(shí)間和轉換速率都是指被試產(chǎn)品,不是試驗的局部環(huán)境。微電路的轉換時(shí)間要求不大于1min在高溫或低溫狀態(tài)下的保持時(shí)間要求不小于10min;低溫為-55℃或-65-10℃,高溫從85+10℃到300+10℃不等。


(3)熱沖擊試驗

試驗目的:考核產(chǎn)品承受溫度劇烈變化,即承受大溫度變化速率的能力。試驗可引發(fā)產(chǎn)品由機械結構缺陷劣化產(chǎn)生的失效.熱沖擊試驗與溫度循環(huán)試驗的目的基本一致,但熱沖擊試驗的條件比溫度循環(huán)試驗要嚴酷得多。




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